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氧化铈抛光液在矽片抛光機上的運用

2014/11/11 14:41:50      點擊:

    氧化铈抛光液在矽片抛光機抛光時運用的非常廣泛,由于很多研磨操作者隻會去用很少用心去研究它的抛光機理,所以在運用過程中會出現一些小偏差。本文中我們将重點講述納米級氧化铈抛光液的制備和在矽片抛光機上的抛光機理。此文章僅提供給矽片表面處理的公司做下參考,希望你們能在此學到研磨抛光的知識。

  納米氧化铈對矽片進行化學機械抛光,首先是源于抛光液的化學腐蝕作用,根據摩擦化學的相關理論,抛光過程中,磨粒與矽片局部接觸點處會産生高溫高壓,這會導緻一系列複雜的摩擦化學反應。與熱化學反應相比,摩擦化學反應所需要的自由能僅為熱化學反應活化自由能的1% --10%,在某些極端的摩擦狀況下甚至可以觀察到熱化學反應條件下所不能進行的摩擦化學反應。

納米氧化铈抛光矽片的模型如圖6所示。

在圖6中的凸處及深度小于磨料直徑的凹處,會發生一系列複雜的摩擦化學反應。納米氧化铈與水發生水合反應,其産物及強堿KOH會與矽片表面發生氧化還原反應,生成SiO32

水解産物H2SiO3能部分聚合成多矽酸,同時另一部分H2SiO3電離生成離子SiO32-,結果形成矽酸膠體 {[SiO2]m·nSiO32-·2(n-x)H+}2x-·2xH+覆蓋在矽片表面上,軟質層厚度不會超過磨粒粒徑,一般可過磨料的機械磨削作用去除。同時氧化铈也具有絡合作用,能迅速地将SiO32- 等轉化為絡合物[Ce(SiO)3]32-,可加速反應去除。其絡合反應式為:

  而對于圖6中矽片表面的凹處,當其深度大于磨料直徑時,在抛光時磨料機械作用基本沒有影響,不會發生複雜的摩擦化學反應,隻會發生熱化學反應,因此矽片表面的化學腐蝕作用有所降低,腐蝕層厚度較凸處小,成分也不同。根據修正後的Presto方程:Vr=KPαSβ(6)式中Vr為機械去除速率;K Preston常數;P為壓力;S為抛光盤與矽片表面的相對線速率β為大于0的系數。Vr随壓力的增大而增大,P=0,Vr=0,抛光壓力一般通過磨粒作用于矽片表面,在劃痕深度遠大于磨料直徑的凹處,磨粒是以随意狀态分布在凹處的,壓力幾乎為0,此時磨粒不會對軟質層産生機械去除作用,軟質層對矽片表面還有保護作用,阻礙化學腐蝕作用繼續進行。當P>0,Vr>0,抛光液中的CeO2起機械磨削作用,它和抛光墊一起對矽片表面摩擦,磨去化學反應生成物進入抛光液中,随抛光液流出矽片表面,使得新鮮的Si表面裸露,而繼續與堿反應,産物再從表面被磨削下來,周而複始,這樣,随着抛光的繼續進行,矽片表面逐漸趨于平整,矽片表面各點的抛光速率差異逐漸減小直至為0,dV=0,即可獲得抛光鏡面。

  根據以上實驗結論得知:

  1)納米氧化铈可對矽片進行超精密抛光,抛光後在面積172μm×128μm範圍内矽片的表面粗糙度Ra0. 689 nm

  2)納米氧化铈磨料比納米SiO2磨料抛光矽片速率快的原因可能是:納米CeO2比納米SiO2更易腐蝕矽片表面,化學作用更勝一籌;腐蝕層莫氏硬度更小也可能是一個影響因素。

  3)納米氧化铈抛光矽片是化學腐蝕和機械作用相結合的過程,在矽片表面不同高度的各點存在抛光速率梯度,該梯度會随着抛光的進行逐漸消失,dV=0,即可獲得抛光鏡面。

  由此可見需要抛光到鏡面,在矽片抛光機上進行抛光時選用的抛光液也非常重要。選用氧化铈抛光液比二氧化矽抛光液一定程度上更容易達到效果。深圳海德不僅生産矽片抛光機還獨家配置各種矽片抛光液,可免費試樣,根據客戶的要求單獨配置,歡迎咨詢!


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